三星电子开发新型封装技术：内存堆叠技术可翻1.5倍

5月15日消息，星电新型据媒体报道，开发可翻三星电子正在开发下一代HBM封装技术，封装为智能手机、技术技术平板电脑等移动设备赋予更强的内存AI能力。

这项名为“多层堆叠FOWLP”的堆叠新技术，结合了超高纵横比铜柱与扇出型晶圆级封装（FOWLP），星电新型并对现有的开发可翻垂直铜柱堆叠（VCS）技术进行了优化。

该技术能在不增加空间的封装前提下容纳更多I/O端子，使带宽提升15%至30%，技术技术同时实现超过1.5倍的内存内存堆叠层数。

业内人士指出，堆叠移动HBM的星电新型技术优势，将成为决定未来高端AI智能手机市场份额及差异化成败的开发可翻关键因素。

但也有专业人士认为，封装由于服务器、数据中心和AI加速器等领域对HBM的需求短期内仍将保持强劲，移动HBM的研发与量产进度可能会落后于既定路线图。

预计该技术最早有望在Exynos 2800或Exynos 2900移动处理器后续版本中亮相。