新型NAND闪存问世：抗辐射能力达传统闪存30倍 可承受太空极端辐射

5月22日消息，新型据媒体报道，闪存射能闪存美国佐治亚理工学院的问世研究团队成功研制出一款新型NAND闪存。

该闪存不仅能够高效处理人工智能（AI）任务，抗辐还能承受太空环境中的力达极端辐射，其抗辐射能力达到传统NAND闪存的传统承受30倍。

这款新型闪存利用了与硅工艺兼容的太空氧化铪材料的铁电特性——即材料在一定温度范围内会自发产生极化，且极化方向可在外部电场作用下翻转。极端

这一特性使铁电材料在信息存储、辐射传感、新型人工智能及新一代低功耗芯片等领域展现出广阔的闪存射能闪存应用前景。

测试结果显示，问世该铁电闪存可承受高达100万拉德（辐射吸收剂量）的抗辐辐射，相当于1亿次X射线照射，力达其辐射耐受性达传统存储器的传统承受30倍。